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IRF7420TR 发布时间 时间:2025/5/8 9:07:24 查看 阅读:7

IRF7420TR 是一款由 Vishay 提供的 N 沣道沟道功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-252 封装。该器件适用于高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载切换等场景。
  IRF7420TR 以其低导通电阻和快速开关速度著称,能够提供高效的功率转换性能,并且具有较低的栅极电荷特性以优化动态性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:12nC
  总电容:980pF
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

IRF7420TR 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高整体效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 较低的栅极电荷 (Qg),可降低驱动功耗并进一步提升系统效率。
  4. 高额定电流支持高功率密度设计。
  5. TO-252 封装形式,便于表面贴装和自动化生产流程。
  6. 宽广的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C) 确保在极端条件下仍能稳定运行。

应用

IRF7420TR 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 计算机和服务器电源模块中的同步整流。
  4. 电池管理系统中的负载切换和保护电路。
  5. 各类工业设备中的高频功率转换应用。

替代型号

IRF7410, IRF7400

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IRF7420TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 11.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)900mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3529pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)