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IRF7420 发布时间 时间:2025/5/8 8:38:40 查看 阅读:4

IRF7420是一种N沟道功率MOSFET,采用P-TO-263-7封装形式。该器件专为高效率、低损耗的应用设计,具有较低的导通电阻和较高的开关速度。IRF7420适用于要求高性能和高可靠性的电路场景,例如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及逆变器等。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:100A
  导通电阻:2.9mΩ(典型值)
  栅极电荷:125nC(最大值)
  输入电容:3800pF
  总功耗:340W
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

IRF7420具备极低的导通电阻,可显著降低传导损耗,从而提升系统效率。
  该器件的高电流承载能力使其能够适应大功率应用场景。
  快速开关特性和低栅极电荷有助于减少开关损耗,并支持高频操作。
  内置的热保护功能提高了可靠性,使其能够在恶劣环境下稳定运行。
  其优化的封装设计改善了散热性能,确保长期工作的稳定性。

应用

IRF7420广泛应用于工业和消费电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
  2. DC-DC转换器的核心功率级元件。
  3. 高效电机驱动解决方案。
  4. 大功率负载开关控制。
  5. 电池管理系统中的充放电控制。
  6. 各种类型的逆变器及变频器设备。

替代型号

IRFP2907, IRF7407

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IRF7420参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 11.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)900mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3529pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF7420