时间：2025/5/10 12:40:08
阅读：5
IRF7406TRPBF是来自Infineon（英飞凌）的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制程技术，专为低电压应用而设计，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。其封装形式为SOT-223，适合用于空间受限的电路设计。IRF7406TRPBF广泛应用于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动以及电池管理等场景。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：11A
导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ (在Vgs=10V时)
功耗(Pd)：87W
工作温度范围：-55℃至+175℃
栅极电荷(Qg)：19nC
IRF7406TRPBF具有较低的导通电阻Rds(on)，能够在高电流下保持较小的功率损耗，从而提高整体效率。
该器件具备快速开关能力，能够有效降低开关损耗，非常适合高频应用。
SOT-223封装提供良好的散热性能，确保器件在高温环境下依然稳定运行。
其高雪崩击穿能力和鲁棒性使得IRF7406TRPBF能够在严苛的工作条件下长期使用。
此外，该器件符合RoHS标准，环保且易于集成到现代化电子设备中。
IRF7406TRPBF适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关元件。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电池保护和管理系统中的负载开关。
4. 小型电机驱动和逆变器控制。
5. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的电源分配与控制单元。
IRF7407TRPBF, IRF7408TRPBF, BSC018N06NS5
