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IRF7403TRPBF 发布时间 时间:2025/5/13 14:29:18 查看 阅读:3

IRF7403TRPBF是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于需要高效能开关性能的电路中。其封装形式为TO-263-3(D2PAK),能够承受较高的漏源电压和连续电流,非常适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他功率管理应用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:58A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:32nC(典型值)
  总电容:2900pF
  功耗:180W

特性

IRF7403TRPBF是一款高性能的功率MOSFET,具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高整体效率。
  2. 较高的持续漏极电流能力,可满足大功率应用场景的需求。
  3. 快速开关速度和较低的栅极电荷,减少了开关损耗。
  4. 采用先进的Trench工艺,优化了散热性能和电气特性。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. 良好的热稳定性,适合长时间运行的工业级应用。

应用

IRF7403TRPBF广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器及降压/升压拓扑中的功率开关。
  3. 工业控制中的电机驱动电路。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护元件。
  5. 各类汽车电子系统中的功率切换功能。
  6. 大功率LED驱动器以及太阳能逆变器等新能源相关设备。

替代型号

IRF7404TRPBF, IRF7405TRPBF

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IRF7403TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs57nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7403PBFTRIRF7403TRPBF-NDIRF7403TRPBFTR-ND