IRF7380QTRPBF 时间：2025/6/29 12:38:58 阅读：6

IRF7380QTRPBF 是一款来自 Infineon（英飞凌）的双 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，采用 PowerTrench 工艺制造。该器件将两个独立的 MOSFET 集成在一个封装中，适用于需要高效率和紧凑设计的应用场景。其出色的导通电阻和低栅极电荷特性使其成为电池管理、负载开关、电机驱动等应用的理想选择。
　　IRF7380QTRPBF 的主要特点是其优化的电气性能和可靠性，能够在高频开关条件下提供高效的功率转换，并且具有良好的热稳定性和耐用性。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流（单个MOSFET）：14A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.6mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电荷：25nC（典型值）
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：SO-8

特性

IRF7380QTRPBF 具备以下显著特性：
　　1. 双 MOSFET 集成设计：在一个封装内包含两个独立的 N 沟道 MOSFET，有助于减少 PCB 空间占用。
　　2. 极低的导通电阻：典型值仅为 2.6mΩ，能够有效降低导通损耗。
　　3. 快速开关能力：低栅极电荷使得该器件在高频应用中表现出色。
　　4. 高电流承载能力：每个 MOSFET 的额定电流高达 14A，满足大功率应用需求。
　　5. 宽温度范围支持：从 -55°C 到 +175°C 的工作结温范围，适应极端环境条件。
　　6. 符合 AEC-Q101 标准：确保其在汽车电子应用中的可靠性和稳定性。
　　这些特性共同使 IRF7380QTRPBF 成为一种高性能、高可靠的功率半导体解决方案。

应用

IRF7380QTRPBF 主要应用于以下领域：
　　1. 电池管理系统 (BMS)：用于电池保护、充放电控制和电量监测。
　　2. 电机驱动：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中实现高效电机控制。
　　3. DC-DC 转换器：作为功率级开关元件，在降压或升压转换器中提供快速响应和低损耗。
　　4. 负载开关：在便携式设备中实现电源通断控制，优化系统功耗。
　　5. 汽车电子：包括发动机控制单元 (ECU)、车身控制模块 (BCM) 和其他车载系统。
　　其紧凑的设计和高性能特点使其在多种应用场景中表现出色。