IRF7342QTR 时间：2025/6/16 19:41:38 阅读：4

IRF7342QTR 是一款来自 Vishay 的 N 沤道功率 MOSFET，采用逻辑电平驱动设计，适用于中低电压应用场合。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低传导损耗和开关损耗。
　　IRF7342QTR 的封装形式为 TO-252 (DPAK)，使其适合表面贴装技术 (SMT) 应用，并且具备良好的散热性能。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：29A
　　导通电阻（典型值）：16mΩ
　　栅极阈值电压（最小/典型/最大）：1.8V/2.5V/3.5V
　　总功耗：26W
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

IRF7342QTR 具有非常低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提高效率。
　　其逻辑电平驱动设计使得该器件能够在较低的栅极驱动电压下工作，例如 5V 或更低，非常适合现代微控制器或数字逻辑电路直接驱动。
　　该器件还具备快速开关能力，可显著减少开关损耗，在高频开关应用中表现出色。
　　此外，IRF7342QTR 提供了出色的热稳定性和电气可靠性，适用于严苛的工作环境。
　　其表面贴装封装简化了 PCB 设计并增强了自动化生产的便利性。

应用

IRF7342QTR 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理模块、负载切换以及电池保护电路等领域。
　　它特别适合需要高效能和紧凑型解决方案的应用场景，如消费类电子产品、汽车电子、工业控制和通信设备等。
　　由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件也常用于大功率 LED 驱动和音频放大器的输出级设计。