IRF7341UTRPBF 时间：2025/5/10 16:34:50 阅读：30

IRF7341UTRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能电源管理应用。
　　IRF7341UTRPBF 采用了 PowerPAK? 8x8 封装形式，这种封装方式可以显著降低热阻并提高散热性能，同时其无引线设计有助于减少寄生电感。这款器件在工业控制、通信设备以及消费类电子产品的 DC/DC 转换器和电机驱动电路中有着广泛应用。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：52A
　　导通电阻（典型值）：2.6mΩ
　　栅极电荷（典型值）：19nC
　　开关时间：ton=10ns, toff=12ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

1. 使用了第三代 TrenchFET 技术，有效降低了导通电阻和开关损耗。
　　2. 高电流承载能力，使其非常适合于需要大功率输出的应用场景。
　　3. 极低的导通电阻，有助于提高整体系统的效率。
　　4. 快速的开关速度和较低的栅极电荷量，减少了动态功耗。
　　5. PowerPAK? 8x8 封装提供卓越的热性能，并且无需额外的散热片即可满足大多数应用需求。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。

应用

1. 各类 DC/DC 转换器中的同步整流开关。
　　2. 开关电源模块中的主开关或辅助开关元件。
　　3. 电池管理系统中的负载开关。
　　4. 电机驱动电路中的功率级开关。
　　5. 工业自动化设备中的电源转换和功率调节组件。
　　6. 计算机及服务器中的多相 VRM（电压调节模块）解决方案。
　　7. 通信基础设施中的高效功率分配网络。