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IRF7341QTRPBF 发布时间 时间:2025/7/12 15:54:26 查看 阅读:15

IRF7341QTRPBF 是一款由 Vishay 推出的 N 沯道功率场效应晶体管(MOSFET),采用 PQFN2020-8 封装形式。该器件专为汽车电子应用设计,具有高可靠性、低导通电阻和出色的开关性能。其主要用途包括负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动电路以及电池保护等。
  由于采用了先进的制造工艺,IRF7341QTRPBF 在高温环境下也能保持稳定的性能表现,同时符合 AEC-Q101 标准,确保了在严苛环境下的可靠性和耐用性。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:35A
  导通电阻(典型值):3.9mΩ
  栅极电荷(典型值):16nC
  输入电容:1160pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:PQFN2020-8

特性

IRF7341QTRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功耗并提升效率。
  2. 符合 AEC-Q101 标准,适合汽车级应用,具备卓越的稳定性和可靠性。
  3. 高速开关性能,适用于高频 DC-DC 转换器和其他开关电源应用。
  4. 紧凑的 PQFN2020-8 封装,节省 PCB 布局空间。
  5. 支持大电流操作,适用于各种高功率场景。
  6. 宽泛的工作温度范围,能够在极端环境下正常运行。
  7. 内置 ESD 保护功能,增强器件的抗静电能力。

应用

IRF7341QTRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子系统中的负载开关和电机驱动。
  2. DC-DC 转换器及降压/升压转换器。
  3. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  4. 工业自动化设备中的电源管理。
  5. LED 驱动电路。
  6. 各类便携式电子设备的高效开关电源解决方案。
  该 MOSFET 凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式,成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

IRF7342GTRPBF, IRF7343GTRPBF

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IRF7341QTRPBF参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 5.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs44nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds780pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称IRF7341QTRPBFDKR