时间：2025/5/8 9:43:57
阅读：5
IRF7341GTRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLGA-7封装，广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的应用中。
IRF7341GTRPBF的设计注重低导通电阻和快速开关特性，使其非常适合高效率、高频率的电力电子应用。其耐压高达60V，同时具有非常低的导通电阻，能够有效减少功率损耗。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：32A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷：29nC
总电容（Ciss）：4840pF
输入电容（Ciss）：4840pF
输出电容（Coss）：380pF
反向传输电容（Crss）：430pF
工作温度范围：-55℃至175℃
IRF7341GTRPBF具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，仅为1.5mΩ，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力，最大连续漏电流为32A，可满足大功率应用的需求。
3. 快速开关性能，栅极电荷小，仅为29nC，有助于减少开关损耗。
4. 工作温度范围宽广，从-55℃到175℃，适用于各种恶劣环境条件。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 热稳定性好，长时间运行下依然保持较高的可靠性。
7. 封装形式为TO-LGA-7，便于安装和散热。
IRF7341GTRPBF主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电机驱动电路，特别是高性能电机控制。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 高效功率放大器及音频功率放大器。
7. 电动车、电动工具及其他需要高效率功率管理的场合。
IRF7342GTRPBF, IRF7343GTRPBF
