时间：2025/6/27 12:22:30
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IRF7329TRPBF 是一款 N 沗道逻辑增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Vishay 公司生产。该器件采用双 MOSFET 封装设计，集成了两个独立的 MOSFET 在一个封装内，适用于高效能开关和功率管理应用。IRF7329TRPBF 的封装形式为 SO-8，具有低导通电阻和高开关速度的特性，使其非常适合于需要高频开关和低损耗的应用场景。
最大漏源电压：50V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：14A
导通电阻：6.5mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
栅极电荷：28nC（典型值）
开关时间：ton=8ns，toff=12ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IRF7329TRPBF 的主要特性包括：
1. 双 MOSFET 集成设计，提供更高的集成度和更小的 PCB 占用面积。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在高电流应用中显著降低功耗。
3. 快速开关性能，能够实现高频操作，适合 DC-DC 转换器等应用。
4. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设计需求。
6. SO-8 封装，便于焊接和安装，同时具备良好的散热性能。
IRF7329TRPBF 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电机驱动和负载切换电路。
3. 电池保护和管理系统。
4. 计算机、服务器及通信设备中的功率管理模块。
5. 工业自动化设备中的功率控制部分。
6. 各种需要高效能功率开关的应用场景。
IRF7309TRPBF, IRF7319TRPBF
