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IRF7328TRPBF 发布时间 时间:2025/5/9 13:17:47 查看 阅读:8

IRF7328TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Vishay公司生产。该器件采用TSSOP-6封装,适用于需要高开关速度和低导通电阻的应用场景。其设计主要针对功率转换、电机驱动以及负载开关等应用。IRF7328TRPBF通过优化的Rds(on)性能,能够有效降低传导损耗,同时具备出色的开关特性。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:9A
  脉冲漏极电流:32A
  导通电阻(Rds(on)):15mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷:4.5nC
  输入电容:1440pF
  总功耗:1.4W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

IRF7328TRPBF具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低功耗并提高效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用。
  3. 小型化的TSSOP-6封装,节省PCB空间。
  4. 高电流承载能力,满足大功率需求。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. 优秀的热稳定性,确保在高温环境下正常运行。
  这些特点使得IRF7328TRPBF成为消费电子、工业控制及通信设备中的理想选择。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电池管理系统的充放电控制。
  4. 电机驱动电路中的功率级开关。
  5. 各类负载开关和保护电路。
  6. LED驱动器中的调光和调压控制。
  由于其高效能和可靠性,IRF7328TRPBF特别适合便携式设备和其他对能效有较高要求的应用场景。

替代型号

IRF7309TRPBF, IRF7310TRPBF

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IRF7328TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C21 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs78nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2675pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7328PBFTRIRF7328TRPBF-NDIRF7328TRPBFTR-ND