IRF7328TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Vishay公司生产。该器件采用TSSOP-6封装,适用于需要高开关速度和低导通电阻的应用场景。其设计主要针对功率转换、电机驱动以及负载开关等应用。IRF7328TRPBF通过优化的Rds(on)性能,能够有效降低传导损耗,同时具备出色的开关特性。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±12V
连续漏极电流:9A
脉冲漏极电流:32A
导通电阻(Rds(on)):15mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷:4.5nC
输入电容:1440pF
总功耗:1.4W
工作温度范围:-55℃至+150℃
IRF7328TRPBF具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低功耗并提高效率。
2. 快速开关速度,适合高频应用。
3. 小型化的TSSOP-6封装,节省PCB空间。
4. 高电流承载能力,满足大功率需求。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
6. 优秀的热稳定性,确保在高温环境下正常运行。
这些特点使得IRF7328TRPBF成为消费电子、工业控制及通信设备中的理想选择。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. 各类负载开关和保护电路。
6. LED驱动器中的调光和调压控制。
由于其高效能和可靠性,IRF7328TRPBF特别适合便携式设备和其他对能效有较高要求的应用场景。
IRF7309TRPBF, IRF7310TRPBF