型号：IRF7328P
　　类型：互补型MOSFET（P沟道 + N沟道）
　　封装：PG-TSDSON-8 (TSDSON-8)
　　通道数：双通道
　　P沟道MOSFET 导通电阻（Rds(on)）：4.3mΩ @ Vgs = -4.5V
　　N沟道MOSFET 导通电阻（Rds(on)）：3.8mΩ @ Vgs = 4.5V
　　最大漏源电压（Vds）：P沟道: -30V, N沟道: 30V
　　连续漏极电流（Id）：P沟道: -5.7A, N沟道: 6.2A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：±1V ~ ±2.5V
　　输入电容（Ciss）：约1200pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　安装方式：表面贴装

IRF7328P的核心优势在于其高度集成的互补MOSFET结构，将高性能的P沟道与N沟道MOSFET整合于单一封装中，显著节省了PCB空间并降低了整体系统成本。P沟道MOSFET具备4.3mΩ的超低导通电阻，在-4.5V栅极驱动条件下能有效减少功率损耗，特别适用于高边开关应用；而N沟道MOSFET则提供更低的3.8mΩ Rds(on)，在相同电压下表现出更优的导通效率，适合用作低边开关或同步整流器件。这种对称优化的设计使得IRF7328P在双向电源切换或双极性控制电路中表现尤为出色。
　　器件采用英飞凌成熟的沟槽栅技术，不仅提高了载流子迁移率，还增强了器件的热稳定性与长期可靠性。其TSDSON-8封装底部设有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔高效散热，确保在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。此外，该封装无引脚设计减少了寄生电感，有利于提升高频开关性能并降低电磁干扰（EMI）。
　　IRF7328P支持逻辑电平驱动，兼容3.3V和5V微控制器输出信号，无需额外的电平转换电路即可直接驱动，极大简化了控制电路设计。内部集成的体二极管提供了反向电流保护功能，在某些应用场景下可省去外部分立二极管，进一步缩小方案尺寸。
　　该器件还具备出色的抗雪崩能力和 robust 的栅氧化层设计，能够在瞬态过压或短路事件中保持稳定，提升了系统安全性。其宽泛的工作温度范围使其不仅适用于消费类电子产品，也可部署于工业控制、车载信息娱乐系统等严苛环境中。整体而言，IRF7328P是一款兼顾性能、集成度与可靠性的先进功率MOSFET解决方案。

IRF7328P广泛应用于各类需要高效电源管理与负载切换的电子系统中。典型用途包括便携式设备中的电池电源开关，用于控制主电源与备用电源之间的切换，防止反向电流流动并实现安全的热插拔操作。在移动设备如智能手机和平板电脑中，它常被用于显示屏背光电源控制、摄像头模块供电管理以及USB OTG接口的电源路径切换，确保各功能模块按需上电以延长电池续航时间。
　　在DC-DC转换器架构中，IRF7328P可用于同步整流拓扑，其中N沟道MOSFET承担主开关角色，P沟道部分则协助实现高效的续流路径控制，从而提升整体转换效率并降低发热。此外，该器件也适用于电机驱动电路中的H桥配置，利用其互补特性实现正反转控制，常见于微型风扇、振动马达或小型伺服系统的驱动设计。
　　在工业领域，IRF7328P可用于PLC模块、传感器供电单元或远程I/O设备中的电源隔离与故障保护电路，通过微控制器精确控制通断时序，避免浪涌电流冲击系统总线。汽车电子方面，该器件可用于车身控制模块（BCM）、车载导航系统或车载充电器中的低压电源管理单元，满足AEC-Q101可靠性标准的部分要求。
　　得益于其小型化封装和高功率密度特性，IRF7328P也非常适合无人机、可穿戴设备和物联网终端等对重量和体积极为敏感的应用场景，是现代高集成度电源设计的理想选择之一。

IRS7328P
　　INFET7328P
　　SI7328DP