IRF7326是一款双N沟道功率MOSFET,采用SO-8封装。该器件专为高效率、高频开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关特性。它广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等领域。
IRF7326将两个独立的N沟道MOSFET集成在一个封装内,适用于需要节省空间和减少组件数量的设计。其出色的性能使其成为众多功率管理电路的理想选择。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流(单个MOSFET):6.8A
导通电阻(Rds(on)):5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:12nC(典型值)
总热阻(结到环境):105°C/W
工作温度范围:-55°C至+150°C
1. 集成双N沟道MOSFET结构,减少PCB占用面积。
2. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高系统效率。
3. 快速开关能力,适合高频操作场景。
4. 低栅极电荷设计,简化驱动电路并减少开关损耗。
5. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境下的使用需求。
6. 符合RoHS标准,环保且易于焊接。
1. DC-DC转换器中的同步整流应用。
2. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
3. 负载开关及保护电路。
4. 小型电机驱动和控制。
5. 电池管理系统中的充放电路径管理。
6. 各类消费电子设备中的功率管理模块。
IRL7326, FDN7326