时间：2025/7/1 7:39:41
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IRF7326是一款双N沟道功率MOSFET，采用SO-8封装。该器件专为高效率、高频开关应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性。它广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等领域。
IRF7326将两个独立的N沟道MOSFET集成在一个封装内，适用于需要节省空间和减少组件数量的设计。其出色的性能使其成为众多功率管理电路的理想选择。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流（单个MOSFET）：6.8A
导通电阻（Rds(on)）：5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：12nC（典型值）
总热阻（结到环境）：105°C/W
工作温度范围：-55°C至+150°C
1. 集成双N沟道MOSFET结构，减少PCB占用面积。
2. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提高系统效率。
3. 快速开关能力，适合高频操作场景。
4. 低栅极电荷设计，简化驱动电路并减少开关损耗。
5. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境下的使用需求。
6. 符合RoHS标准，环保且易于焊接。
1. DC-DC转换器中的同步整流应用。
2. 开关电源（SMPS）中的功率级控制。
3. 负载开关及保护电路。
4. 小型电机驱动和控制。
5. 电池管理系统中的充放电路径管理。
6. 各类消费电子设备中的功率管理模块。
IRL7326, FDN7326
