时间：2025/5/13 17:27:43
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IRF7324TRPBF 是一款来自 Vishay 的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET Gen II 技术制造。该器件具有低导通电阻和快速开关速度，适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动、负载切换等应用。其封装形式为 SO-8（PowerPAK SO-8），具备良好的散热性能和紧凑的体积，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：35A
导通电阻（Rds(on)）：2.9mΩ @ Vgs=10V
总栅极电荷：49nC
输入电容：2400pF
输出电容：1080pF
反向恢复时间：12ns
工作温度范围：-55°C 至 150°C
IRF7324TRPBF 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，有助于减少开关损耗。
3. 高电流处理能力，适合大功率应用。
4. 小型 PowerPAK SO-8 封装，节省 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 良好的热稳定性和可靠性，适用于恶劣环境。
IRF7324TRPBF 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的主开关管。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 电信和网络设备的功率级解决方案。
6. 汽车电子中的高边或低边开关。
IRF7324PbF, IRF7324TRPBF-Q, IRF7324LPBF
