时间：2025/6/19 1:47:33
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IRF7321D2TRPBF 是由 Infineon（英飞凌）推出的一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的制程技术制造。该器件专为高频开关应用而设计，具有较低的导通电阻和快速的开关速度。IRF7321D2TRPBF 内部集成了两个独立的 MOSFET，适用于需要双路功率开关的应用场景，例如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：SO8
VDS（漏源电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
IDS（连续漏极电流）：69A（Tc=25°C）
VGS(th)（阈值电压）：1.2V~2.4V
栅极电荷（Qg）：24nC（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
IRF7321D2TRPBF 提供了非常低的导通电阻，有助于减少传导损耗，从而提高整体效率。
其快速的开关性能使得该器件在高频应用中表现优异，能够有效降低开关损耗。
由于其小型化的 SO8 封装，IRF7321D2TRPBF 可以节省电路板空间，非常适合对体积敏感的设计。
内部集成的两个 MOSFET 允许用户在单一封装内实现复杂的开关功能，简化了电路设计并减少了元件数量。
该器件具有出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的性能。
IRF7321D2TRPBF 广泛应用于电源管理领域，包括但不限于 DC-DC 转换器中的同步整流功能。
它也适用于各种负载开关场景，例如 USB 充电器、电池管理系统 (BMS) 和多路电源分配。
此外，这款器件还可用于小型电机驱动和工业自动化设备中的功率控制模块。
其高效的开关特性和低功耗特性使其成为消费电子、通信设备和汽车电子的理想选择。
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