您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF7319TRPBF

IRF7319TRPBF 发布时间 时间:2025/5/7 15:23:49 查看 阅读:15

IRF7319TRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的双N沟道增强型MOSFET功率晶体管,采用TOLT封装形式。该器件内部集成两个并联的MOSFET,能够显著降低导通电阻,从而提升效率和散热性能。它专为高频开关应用而设计,适用于多种电源管理场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:2.
  栅极电荷:38nC
  输入电容:2040pF
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

IRF7319TRPBF具有超低导通电阻,可有效减少功率损耗,提高整体系统效率。
  其双MOSFET结构通过并联实现更高的电流承载能力,并改善热分布。
  此外,该器件具备快速开关速度,适合高频DC-DC转换器、同步整流电路以及负载切换等应用。
  TOLT封装形式不仅紧凑,还增强了散热性能,便于在高功率密度的设计中使用。
  它的低栅极电荷特性可以减少驱动功耗,进一步优化系统的能量利用率。

应用

IRF7319TRPBF广泛应用于笔记本电脑适配器、台式机电源、服务器电源等高效能AC-DC转换器。
  同时,它也适合用于多相降压转换器、同步整流电路以及电池保护系统等领域。
  此外,由于其高频特性和大电流处理能力,该器件还被应用于电信设备电源模块及工业控制领域中的负载切换电路。

替代型号

IRF7319TRPBF,
  IRF7319PBF,
  Si7866DP,
  FDMQ8208

IRF7319TRPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF7319TRPBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRF7319TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.5A,4.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C29 毫欧 @ 5.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds650pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7319PBFTRIRF7319TRPBF-NDIRF7319TRPBFTR-ND