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IRF7316TR 发布时间 时间:2025/6/4 18:31:00 查看 阅读:15

IRF7316TR是一款由Infineon(英飞凌)生产的双通道N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用Trench技术制造,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等应用。其封装形式为TO-Leadless(TOLL),有助于提高散热性能和节省PCB空间。
  IRF7316TR内部集成了两个独立的N沟道MOSFET,允许设计人员在一个小型封装中实现高效的功率管理解决方案。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流(单个MOSFET):28A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:79nC(典型值)
  总热阻(结到环境):33°C/W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-Leadless(TOLL)

特性

IRF7316TR具有低导通电阻的特点,能够有效降低功率损耗,提升系统效率。
  它采用了先进的Trench技术,使得单位面积内的电流承载能力更高。
  该器件的高雪崩能力和坚固的结构使其能够在严苛的工作条件下可靠运行。
  双通道设计简化了多相位功率转换电路的设计过程,减少了元件数量和PCB占用面积。
  TOLL封装提供了出色的散热性能,同时兼容无铅焊接工艺,符合环保要求。
  此外,IRF7316TR还具备快速开关速度,有助于减少开关损耗并支持高频操作。

应用

IRF7316TR适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关功能。
  2. 降压或升压型DC-DC转换器的核心功率级组件。
  3. 电动工具、家用电器以及其他便携式设备中的电机驱动电路。
  4. 高效负载开关和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  由于其低导通电阻和高电流处理能力,IRF7316TR特别适合需要高效能和高可靠性的应用场合。

替代型号

IRF7306TR, IRF7314TR

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IRF7316TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C58 毫欧 @ 4.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds710pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)