时间：2025/6/21 0:39:53
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IRF7313QTR是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用逻辑电平驱动设计，能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的开关操作。这款MOSFET适用于多种电力电子应用场合，例如DC-DC转换器、逆变器、电机驱动和负载开关等。其封装形式为TO-263（D2PAK），具备出色的散热性能。
该器件的最大特点在于其低导通电阻（Rds(on)）以及快速的开关速度，这使得它在高频开关应用中能够保持高效率和低功耗。同时，其高雪崩能量能力增强了器件的鲁棒性，使其能够在恶劣的工作条件下稳定运行。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：39A
脉冲漏极电流：158A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：45nC（典型值）
总热阻（结到环境）：48°C/W
工作温度范围：-55°C至+175°C
IRF7313QTR具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频开关应用，减少开关损耗。
3. 较高的雪崩能量能力，确保了器件在过载或短路情况下的可靠性。
4. 逻辑电平驱动，支持低至4.5V的栅极驱动电压，简化了电路设计并降低了驱动功耗。
5. 高电流处理能力，可承受高达39A的连续漏极电流和158A的脉冲电流。
6. 宽泛的工作温度范围，适应各种极端环境条件。
7. TO-263封装形式提供了良好的散热性能，便于安装和使用。
IRF7313QTR广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 逆变器中的功率开关。
4. 电机驱动中的桥臂开关。
5. 负载开关和保护电路。
6. 汽车电子系统中的功率控制元件。
7. 工业自动化设备中的功率管理模块。
IRF7313,
IRF7313PBF,
IRF7313TRPBF
