您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF7311TRPBF

IRF7311TRPBF 发布时间 时间:2025/5/22 21:37:21 查看 阅读:2

IRF7311TRPBF 是一款双通道 N 沣道场效应晶体管(N-Channel MOSFET),采用 PowerTrench 技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性。该器件适用于需要高效能和高频率操作的应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。
  该器件封装形式为 SO-8,符合 RoHS 标准,能够在紧凑的空间内提供高性能表现。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:9.2A
  导通电阻(典型值):6.5mΩ
  栅极电荷:14nC
  开关时间:typ 10ns/10ns(开启/关闭)
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C

特性

IRF7311TRPBF 具有低导通电阻的特性,这有助于减少传导损耗,提高效率。此外,其快速开关性能使得它在高频应用中表现出色。内置反向二极管的设计使其非常适合同步整流应用。
  该器件采用了先进的 PowerTrench 工艺,从而优化了芯片面积与性能之间的平衡。较低的栅极电荷需求使得驱动功耗更低,同时减少了开关损耗。
  其紧凑的 SO-8 封装设计适合空间受限的场合,并且能够承受较高的功率密度。此外,器件的可靠性经过严格测试,可满足工业级应用的需求。

应用

IRF7311TRPBF 广泛应用于多种电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. DC-DC 转换器中的同步整流
  2. 开关电源(SMPS)
  3. 电机驱动控制
  4. 笔记本电脑和服务器的电源管理
  5. 各类负载开关应用
  6. 便携式设备中的电池管理系统
  由于其出色的效率和高频性能,这款 MOSFET 在现代电子产品中得到了广泛的认可。

替代型号

IRF7309TRPBF, IRF7310TRPBF

IRF7311TRPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF7311TRPBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRF7311TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C29 毫欧 @ 6A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds900pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7311PBFTR