IRF7311TRPBF 是一款双通道 N 沣道场效应晶体管(N-Channel MOSFET),采用 PowerTrench 技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性。该器件适用于需要高效能和高频率操作的应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。
该器件封装形式为 SO-8,符合 RoHS 标准,能够在紧凑的空间内提供高性能表现。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:9.2A
导通电阻(典型值):6.5mΩ
栅极电荷:14nC
开关时间:typ 10ns/10ns(开启/关闭)
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
IRF7311TRPBF 具有低导通电阻的特性,这有助于减少传导损耗,提高效率。此外,其快速开关性能使得它在高频应用中表现出色。内置反向二极管的设计使其非常适合同步整流应用。
该器件采用了先进的 PowerTrench 工艺,从而优化了芯片面积与性能之间的平衡。较低的栅极电荷需求使得驱动功耗更低,同时减少了开关损耗。
其紧凑的 SO-8 封装设计适合空间受限的场合,并且能够承受较高的功率密度。此外,器件的可靠性经过严格测试,可满足工业级应用的需求。
IRF7311TRPBF 广泛应用于多种电子领域,包括但不限于以下方面:
1. DC-DC 转换器中的同步整流
2. 开关电源(SMPS)
3. 电机驱动控制
4. 笔记本电脑和服务器的电源管理
5. 各类负载开关应用
6. 便携式设备中的电池管理系统
由于其出色的效率和高频性能,这款 MOSFET 在现代电子产品中得到了广泛的认可。
IRF7309TRPBF, IRF7310TRPBF