时间：2025/5/22 10:30:15
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IRF7311 是一款双通道 N 沣道 MOSFET，集成在单个封装中。它适用于各种功率转换和电机驱动应用。该器件采用了逻辑电平栅极驱动设计，可以实现较低的导通电阻 (Rds(on)) 和较高的开关速度，从而提高效率并降低功耗。
IRF7311 的两个 MOSFET 共享同一个封装，非常适合空间受限的设计，并且能够减少 PCB 占用面积。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：4.5A（每个 MOSFET）
导通电阻 Rds(on)：10mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷 Qg：15nC（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-263 (D2PAK)
IRF7311 的主要特性包括：
- 双通道 N 枋 MOSFET 集成在一个封装内，简化了电路设计。
- 较低的导通电阻 (Rds(on)) 提高了效率并减少了功耗。
- 逻辑电平栅极驱动兼容性使得使用标准 CMOS 或 TTL 输出信号更容易控制 MOSFET。
- 短路耐受能力提高了系统的可靠性。
- 封装形式 TO-263 提供良好的散热性能和坚固的机械结构。
- 宽温度范围使其适用于工业和汽车等多种环境。
IRF7311 广泛应用于以下领域：
- 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
- DC-DC 转换器中的功率级开关。
- 电机驱动电路中的功率输出级。
- 笔记本电脑和其他便携式设备的电池管理。
- 工业自动化和控制中的功率开关。
- 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代方案。
IRF7309, IRF7310
