时间：2025/5/24 9:46:02
阅读：21
IRF7309TR是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用TOLT封装形式。该器件由Vishay制造，专为高频和高效率应用而设计。其低导通电阻和出色的开关性能使其非常适合于各种功率转换电路，例如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。
该器件的最大漏源电压为20V，具有较低的栅极电荷，从而可以实现快速的开关速度，降低开关损耗。此外，它还具备较高的电流承载能力以及优秀的热稳定性。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：48A
导通电阻（Rds(on)）：1.6mΩ
栅极电荷：45nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TOLT
总功耗：220W
IRF7309TR具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（1.6mΩ），有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高额定电流（48A），可满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷（45nC），能够显著降低开关损耗。
4. 广泛的工作温度范围（-55°C至150°C），适合恶劣环境下的应用。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 热阻较低，有助于改善散热性能，确保长期稳定运行。
IRF7309TR适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关元件。
2. DC-DC转换器中作为功率开关使用。
3. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
4. 负载开关和保护电路，提供快速响应和高效切换。
5. 电池管理系统（BMS），支持高效的充电与放电路径控制。
IRF7309TRPBF, IRF7309TRLPBF
