类型：双通道（1 N沟道 + 1 P沟道）
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)@25°C：2.3A (N), -2.3A (P)
　　脉冲漏极电流(Id_pulse)：6.9A
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=10V：45mΩ (N), 60mΩ (P)
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=4.5V：60mΩ (N), 80mΩ (P)
　　阈值电压(Vgs(th))@Id=250μA：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)@Vds=15V：450pF
　　开关时间(上升/下降)：约15ns / 10ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23-6 (SC-70-6)

IRF7309PBF-1具备出色的电气性能与紧凑的封装设计，使其成为现代低功耗高密度电源系统的理想选择。首先，其集成的N沟道与P沟道MOSFET经过优化匹配，能够在同步整流、DC-DC转换器和负载开关等应用中提供高效的双向电流控制能力。N沟道MOSFET具有较低的导通电阻，在高侧开关配置中可显著降低传导损耗；而P沟道MOSFET则简化了栅极驱动电路的设计，无需额外的电荷泵即可实现高边驱动功能，从而节省外围元件成本与PCB面积。
　　其次，该器件采用了英飞凌成熟的沟槽型MOSFET工艺，不仅提升了载流子迁移率，还有效降低了单位面积下的Rds(on)，提高了功率密度。同时，较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss）使得器件在高频开关条件下仍能保持较低的驱动功耗和快速的开关响应，有利于提升系统效率并减少热积累。
　　再者，IRF7309PBF-1具有良好的热稳定性与鲁棒性，能够在恶劣环境条件下长期可靠运行。其最大结温可达150°C，并支持瞬态过载工况。内置的体二极管也具备一定的反向恢复能力，适用于感性负载切换。此外，SOT-23-6封装具有优良的散热性能，配合合理的PCB布局可实现有效的热量散逸。
　　最后，该器件通过严格的工业级可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环等试验，确保在各种应用场景下的长期稳定性。其无铅、绿色环保的设计也符合当前主流电子产品的环保要求，适用于全球范围内的批量生产与出口。

IRF7309PBF-1广泛应用于需要高效、小型化功率开关解决方案的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，如智能手机和平板电脑的电池充放电控制、LCD背光驱动电路以及USB接口的过流保护与热插拔控制。在这些设备中，该器件可用于构建高效率的同步降压变换器或半桥驱动电路，实现精确的电压调节与快速动态响应。
　　此外，它也常用于直流电机驱动、电磁阀控制和继电器替代方案中，特别是在空间受限但对开关速度和能耗有较高要求的小型机电系统中表现出色。由于其集成双MOSFET结构，能够简化H桥驱动电路设计，减少外部元件数量，从而降低整体系统成本并提高可靠性。
　　在工业与汽车电子领域，IRF7309PBF-1可用于传感器供电开关、LED照明调光控制以及低功率电源模块中，满足严苛的EMI和能效标准。其稳定的开关特性和宽温度工作范围使其适应从家用电器到车载信息娱乐系统的多种环境。
　　另外，该器件也非常适合用于热插拔控制器、OR-ing电路以及冗余电源切换系统中，利用其快速关断能力和低静态功耗特性来保障系统安全与连续运行。总之，凭借其高性能、小体积和高集成度，IRF7309PBF-1已成为众多低电压、中等电流功率开关应用中的优选器件。

SI7309DP-T1-GE3
　　DMG3415U
　　FDS6679