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IRF7307 发布时间 时间:2025/6/22 12:53:06 查看 阅读:3

IRF7307是一款由Vishay公司生产的双通道N沟道增强型MOSFET晶体管,采用TO-252 (DPAK)封装形式。这款器件主要设计用于需要高效率和低功耗的开关应用。IRF7307通过将两个独立的MOSFET集成在一个封装中,简化了电路设计并减少了PCB空间占用。
  该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动、电源管理以及其他高频开关应用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流(单个MOSFET):18A
  导通电阻(Rds(on)):3.8mΩ(在Vgs=10V时)
  总功率耗散:45W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

IRF7307的主要特性包括:
  1. 高效的导通性能,低导通电阻(Rds(on)),有助于减少功耗和提高效率。
  2. 双通道设计允许在紧凑的空间内实现复杂的开关功能。
  3. 快速开关速度,支持高频操作,适用于开关电源和其他高频应用。
  4. 较宽的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的应用需求。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. 小巧的TO-252封装形式,方便安装和散热。

应用

IRF7307广泛应用于以下领域:
  1. 电源管理中的负载开关和保护电路。
  2. 各种类型的DC-DC转换器和降压/升压转换器。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 开关模式电源(SMPS)和逆变器。
  5. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
  6. 电池管理系统中的开关元件。
  7. 音频功率放大器中的输出级开关元件。

替代型号

IRF7308, IRF7309, Si7380DP

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IRF7307参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 2.6A, 4.5V
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.2A, 4.3A
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)660pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF7307