时间：2025/12/24 4:35:35
阅读：18
IRF7306TR是英飞凌（Infineon）公司推出的一款双N沟道增强型MOSFET芯片，该器件采用TOLL封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点。IRF7306TR广泛应用于需要高效功率转换的场景，如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及其他电源管理应用中。由于其出色的性能，IRF7306TR在工业控制、消费电子以及通信设备领域得到了广泛应用。
IRF7306TR内置了两个对称的N沟道MOSFET管芯，这种设计可以减少电路板空间需求，并简化多相位设计中的复杂性。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：9A（每个MOSFET）
导通电阻：2.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总栅极电荷：45nC（典型值）
功耗：85W
工作温度范围：-55℃至+175℃
IRF7306TR的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
3. 内置两个对称的N沟道MOSFET，方便用于桥式拓扑或同步整流电路。
4. 支持高温运行，适用于恶劣环境下的工业应用。
5. 小巧的TOLL封装设计，有助于减小PCB面积占用。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
IRF7306TR适用于以下应用场景：
1. DC-DC转换器中的同步整流和主开关元件。
2. 各类电机驱动电路，例如步进电机、无刷直流电机等。
3. 负载开关及保护电路。
4. 多相位降压转换器的设计。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。
6. 消费电子产品中的电源适配器与充电器模块。
7. 工业自动化设备中的功率控制单元。
IRF7306,
IPA60R1K0P7,
STP16NF06L,
AO3400A
