时间：2025/5/10 9:37:00
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IRF7304TRPBF 是一款双通道 N 沣道 MOSFET 芯片，采用 SO-8 封装。该器件内部集成了两个 N 枋功率 MOSFET，适用于需要低导通电阻和快速开关性能的应用场景。IRF7304TRPBF 的设计使其非常适合用于负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动以及电池保护等电路。
这款芯片具有极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著降低功耗并提高效率。同时，它还具备出色的热特性和电气特性，从而确保在各种复杂工作条件下的稳定运行。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流（单个MOSFET）：15A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：28nC（典型值）
总电容：1900pF（输入电容）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SO-8
IRF7304TRPBF 提供了非常低的导通电阻，有助于减少功率损耗，尤其是在大电流应用中表现优异。
其内置的两个 N 枋 MOSFET 可以分别控制，适合需要同步整流或双路开关的应用。
该器件支持高频开关操作，配合低栅极电荷和快速开关速度，能够有效减少开关损耗。
此外，IRF7304TRPBF 的 SO-8 封装提供良好的散热性能，确保长时间稳定运行。
整体上，该芯片凭借其高效率、低功耗和紧凑设计，在便携式电子设备及电源管理系统中有着广泛应用。
负载开关
DC-DC 转换器
电机驱动
电池管理
同步整流
消费类电子产品中的电源管理
工业控制中的小型化驱动解决方案
