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IRF7304TR 发布时间 时间:2025/7/11 9:08:05 查看 阅读:16

IRF7304TR 是一款双通道 N 沁道功率 MOSFET,专为高效率、低导通电阻的应用而设计。该器件采用 TOLL 封装形式,具有出色的热性能和电气性能,适用于各种工业及消费类电子应用。IRF7304TR 内部集成了两个独立的 N 沁道 MOSFET,能够显著简化电路设计并提高系统可靠性。
  这款 MOSFET 适合高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载切换以及电池保护等场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流(每个 MOSFET):128A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:75nC(典型值)
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TOLL

特性

IRF7304TR 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提升效率。
  2. 高电流承载能力,支持大功率应用。
  3. 快速开关速度,适合高频操作。
  4. 出色的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
  5. 内置两个独立的 N 沁道 MOSFET,减少了对外部元件的需求。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  7. 紧凑的 TOLL 封装,节省 PCB 空间并提供优异的散热性能。

应用

IRF7304TR 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器,包括降压、升压和升降压拓扑。
  3. 电机驱动控制,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 电池管理系统(BMS),用于保护锂离子电池组。
  6. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的功率转换模块。
  7. 其他需要高效功率管理的场合。

替代型号

IRF7304LTRPBF, IRF7304LPBF

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IRF7304TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 2.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds610pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)