IRF7304QTR 时间：2025/7/1 23:20:11 阅读：8

IRF7304QTR 是一款双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SO-8 封装。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动等应用。IRF7304QTR 的两个 MOSFET 共享同一个封装，有助于节省电路板空间并简化设计。
　　该器件的最大漏源电压为 20V，连续漏极电流可达 5.3A（单个 MOSFET），并且具有低至 10mΩ 的导通电阻（典型值）。这些特性使其在需要高效功率传输的应用中表现优异。

参数

最大漏源电压：20V
　　连续漏极电流：5.3A（每个MOSFET）
　　导通电阻：10mΩ（典型值）
　　栅极电荷：6nC（典型值）
　　总电容：110pF（典型值）
　　工作温度范围
　　封装类型：SO-8

特性

IRF7304QTR 的主要特点是其双通道设计和低导通电阻，这可以显著降低功率损耗并提高系统效率。
　　1. 双通道集成：在同一封装内集成了两个独立的 N 沟道 MOSFET，减少了 PCB 空间占用。
　　2. 高效性能：低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中的低功耗。
　　3. 快速开关能力：较小的栅极电荷和总电容使得该器件能够实现高速开关操作，从而减少开关损耗。
　　4. 宽工作温度范围：支持从 -55℃ 到 +150℃ 的环境温度，适合多种应用场景。
　　5. 热稳定性：良好的散热特性和稳健的设计保证了长期可靠性。

应用

IRF7304QTR 广泛应用于各种需要高效功率管理的场景中，包括但不限于以下领域：
　　1. 直流-直流转换器：用于降压或升压转换器中的功率级开关。
　　2. 负载开关：在电源管理系统中提供快速响应的开关功能。
　　3. 电机驱动：适用于小型直流电机的驱动控制。
　　4. 开关电源：作为功率开关元件用于 AC-DC 或 DC-DC 转换。
　　5. 电池管理：用于保护电路和充放电控制。
　　6. 工业自动化：在各种工业设备中实现精确的功率控制。