时间：2023/3/9 16:43:02
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晶体管极性:P沟道(双)
漏极电流, Id 最大值:-4.3A
电压, Vds 最大:20V
晶体管极性:P沟道(双)
漏极电流, Id 最大值:-4.3A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.09ohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-700mV
功耗:2W
封装类型:SOIC
针脚数:8
SMD标号:IRF7304PBF
功率, Pd:2W
外宽:4.05mm
外部深度:5.2mm
外部长度/高度:1.75mm
封装类型:SOIC
排距:6.3mm
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:-20V
电流, Id 连续:4.3A
电流, Idm 脉冲:17A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-0.7V
| 厂商 |
|---|
| Infineon Technologies |
