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IRF7304PBF 发布时间 时间:2023/3/9 16:43:02 查看 阅读:610

    晶体管极性:P沟道(双)

    漏极电流, Id 最大值:-4.3A

    电压, Vds 最大:20V

   

目录

概述

    晶体管极性:P沟道(双)

    漏极电流, Id 最大值:-4.3A

    电压, Vds 最大:20V

    开态电阻, Rds(on):0.09ohm

    电压 @ Rds测量:-4.5V

    电压, Vgs 最高:-700mV

    功耗:2W

    封装类型:SOIC

    针脚数:8

    SMD标号:IRF7304PBF

    功率, Pd:2W

    外宽:4.05mm

    外部深度:5.2mm

    外部长度/高度:1.75mm

    封装类型:SOIC

    排距:6.3mm

    晶体管数:2

    晶体管类型:MOSFET

    温度 @ 电流测量:25°C

    满功率温度:25°C

    电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V

    电压, Vds 典型值:-20V

    电流, Id 连续:4.3A

    电流, Idm 脉冲:17A

    表面安装器件:表面安装

    阈值电压, Vgs th 典型值:-0.7V


资料

厂商
Infineon Technologies

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IRF7304PBF参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 2.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds610pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件