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IRF7241TRPBF 发布时间 时间:2025/4/28 17:50:46 查看 阅读:2

IRF7241TRPBF是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管,采用TO-263-8封装形式。该器件专为高效能开关应用设计,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。IRF7241TRPBF适用于多种工业及消费类电子设备中的功率转换、电机驱动以及负载切换等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:50A
  栅源开启电压:2.5V至4V
  导通电阻(典型值):3mΩ
  总栅极电荷:60nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

IRF7241TRPBF具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,能够显著减少传导损耗。
  2. 快速的开关速度,有助于提高系统效率并降低电磁干扰。
  3. 高额定电流能力,使其适合大功率应用场景。
  4. 较宽的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,支持环保要求。
  6. 内置反向二极管,简化电路设计并提供额外保护功能。

应用

这款MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
  2. 电机控制与驱动,包括无刷直流电机(BLDC)。
  3. 汽车电子系统中的负载切换。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. LED驱动器和太阳能逆变器等绿色能源相关产品。

替代型号

IRF7244TRPBF, IRF7242TRPBF

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IRF7241TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C41 毫欧 @ 6.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3220pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7241PBFTRIRF7241TRPBF-NDIRF7241TRPBFTR-ND