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IRF7241 发布时间 时间:2025/5/20 21:15:00 查看 阅读:2

IRF7241是一款高性能的N沟道功率MOSFET,采用IR公司(International Rectifier)的先进工艺制造。该器件主要设计用于高频开关应用,例如DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和电源管理模块等。IRF7241具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特点,使其在高效能电力电子电路中表现出色。
  IRF7241采用TO-252表面贴装封装形式,适合自动化装配工艺并能有效减少寄生电感对性能的影响。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:30A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:19nC(典型值)
  输入电容:1350pF(典型值)
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

IRF7241具有非常低的导通电阻,这有助于降低传导损耗,从而提高整体效率。其快速的开关特性使得它能够在高频条件下保持高效运行,同时减少电磁干扰(EMI)。此外,该器件具备出色的热稳定性,可以在较宽的工作温度范围内可靠地工作。
  由于采用了先进的半导体制造技术,IRF7241还拥有良好的抗雪崩能力和较低的反向恢复电荷,这对于需要承受瞬态电压的应用场景非常重要。
  此外,IRF7241内置了ESD保护机制,增强了芯片在实际使用中的鲁棒性,降低了因静电放电而导致损坏的风险。
  其紧凑的TO-252封装不仅节省了PCB空间,还能很好地适应现代电子设备的小型化趋势。

应用

IRF7241广泛应用于各种需要高效功率转换的场合,包括但不限于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
  - DC-DC转换器
  - 太阳能逆变器
  - 电动工具及家用电器的电机驱动
  - 工业控制与自动化系统
  - 笔记本电脑适配器
  任何需要高频、低损耗功率开关的应用都可以考虑使用IRF7241来优化设计性能。

替代型号

IRF7242, IRF7243, IRF7244

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IRF7241参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C41 毫欧 @ 6.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3220pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件