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IRF7240TR 发布时间 时间:2025/5/20 22:23:00 查看 阅读:27

IRF7240TR是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-263封装。该器件专为高效能开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种工业和消费电子领域。
  这款MOSFET的最大漏源电压为60V,非常适合低压驱动场景,例如电机驱动、DC-DC转换器、负载开关和电源管理电路等。其出色的电气性能和可靠性使得IRF7240TR成为许多工程师在设计中的首选。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:58A
  导通电阻:1.6mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:49nC(典型值)
  开关时间:开通延迟时间12ns,关断下降时间19ns(典型值)
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-263

特性

IRF7240TR是一款高性能的功率MOSFET,具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,有助于减少开关损耗,并提高高频下的性能。
  3. 高额定电流能力(高达58A),使其能够胜任大功率应用场景。
  4. 小巧的TO-263封装,节省PCB空间并简化散热设计。
  5. 广泛的工作温度范围(-55°C至+175°C),确保在极端环境下的稳定运行。
  6. 良好的热性能,有助于提升整体系统的可靠性和寿命。

应用

IRF7240TR因其优异的性能而广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器,用于高效的电压转换。
  2. 电机驱动,包括步进电机、直流无刷电机等,提供可靠的驱动能力。
  3. 工业控制设备中的负载开关和保护电路。
  4. 汽车电子中的各种电源管理模块。
  5. 电池管理系统(BMS),用于充放电控制和保护功能。
  6. 各类消费电子产品中的功率管理单元。

替代型号

IRF7241TR, IRF7242TR, IRF7243TR

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IRF7240TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 10.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9250pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)