您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF7233TRPBF

IRF7233TRPBF 发布时间 时间:2025/5/8 19:28:55 查看 阅读:3

IRF7233TRPBF是来自Infineon(英飞凌)的N沟道增强型MOSFET晶体管,采用TOL封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景中,具有低导通电阻和快速开关特性。
  其设计目的是在高频开关应用中提供高效率和低损耗性能,同时支持表面贴装技术(SMD),方便自动化生产。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:39nC
  开关速度:非常快
  功耗:根据实际电路条件动态变化
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

IRF7233TRPBF的主要特点是低导通电阻和高效率。具体表现为:
  1. 极低的Rds(on)值(4.5mΩ典型值),能够在高电流应用场景下减少传导损耗。
  2. 快速的开关速度,得益于较小的栅极电荷量(39nC),适用于高频开关应用。
  3. 高雪崩能力及热稳定性,确保了在恶劣环境下的可靠性。
  4. 支持表面贴装工艺(SMD),便于现代工业制造流程。
  5. 工作结温范围宽广(-55℃至150℃),适应多种温度环境需求。

应用

该型号MOSFET适合于多种电力电子应用领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或其他类型电机。
  3. DC-DC转换器的核心元件,用以实现高效能量转换。
  4. 各类负载切换和保护电路。
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制回路。

替代型号

IRF7233TRPBF, IRF7233TRPBF-Q, BSC018N06NS3

IRF7233TRPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF7233TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 9.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)600mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs74nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds6000pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7233PBFTRIRF7233TRPBF-NDIRF7233TRPBFTR-ND