IRF7233TRPBF是来自Infineon(英飞凌)的N沟道增强型MOSFET晶体管,采用TOL封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景中,具有低导通电阻和快速开关特性。
其设计目的是在高频开关应用中提供高效率和低损耗性能,同时支持表面贴装技术(SMD),方便自动化生产。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:18A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:39nC
开关速度:非常快
功耗:根据实际电路条件动态变化
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
IRF7233TRPBF的主要特点是低导通电阻和高效率。具体表现为:
1. 极低的Rds(on)值(4.5mΩ典型值),能够在高电流应用场景下减少传导损耗。
2. 快速的开关速度,得益于较小的栅极电荷量(39nC),适用于高频开关应用。
3. 高雪崩能力及热稳定性,确保了在恶劣环境下的可靠性。
4. 支持表面贴装工艺(SMD),便于现代工业制造流程。
5. 工作结温范围宽广(-55℃至150℃),适应多种温度环境需求。
该型号MOSFET适合于多种电力电子应用领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或其他类型电机。
3. DC-DC转换器的核心元件,用以实现高效能量转换。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制回路。
IRF7233TRPBF, IRF7233TRPBF-Q, BSC018N06NS3