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IRF7207TR 发布时间 时间:2025/5/8 8:48:21 查看 阅读:9

IRF7207TR是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高频开关应用场合。
  IRF7207TR的封装形式为TO-252 (DPAK),适合表面贴装工艺,能够有效节省电路板空间并提升散热性能。其工作电压范围广,耐压高达60V,能够满足多种功率电子设计需求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:13A
  导通电阻(典型值):8.5mΩ
  栅极电荷:9nC
  总电容:220pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRF7207TR具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),在不同栅极驱动电压下表现出色,例如在Vgs=10V时为8.5mΩ,有助于降低导通损耗。
  2. 快速开关性能,得益于较小的栅极电荷Qg,使得开关损耗得以减少。
  3. 高额定电流能力(13A),支持大功率应用。
  4. TO-252封装,提供良好的热性能和电气连接稳定性。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

IRF7207TR适用于广泛的工业和消费类电子产品中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器或功率级开关。
  2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. 照明系统,如LED驱动器。
  5. 各种负载切换和保护电路。
  由于其出色的效率和可靠性,IRF7207TR成为许多功率管理解决方案的理想选择。

替代型号

IRF7206TR, IRF7208TR

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IRF7207TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 5.4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds780pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)