IRF7207 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换应用。其封装形式为 SO-8,适合表面贴装技术(SMT),并能有效降低系统功耗,提高效率。
IRF7207 的设计使其能够广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域中的 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:43A
导通电阻(典型值):3.5mΩ
总栅极电荷:39nC
输入电容:1320pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
IRF7207 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
2. 快速的开关速度,可支持高频操作,适应现代电源设计需求。
3. 高电流处理能力,能够在大负载条件下稳定运行。
4. 小巧的 SO-8 封装节省了 PCB 空间,便于实现紧凑型设计。
5. 优异的热性能,确保在高温环境下的可靠性和长寿命。
6. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。
IRF7207 可广泛用于以下应用场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 各种消费类电子产品的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
IRF7207TRPBF, IRF7207DPBF