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IRF7207 发布时间 时间:2025/5/10 17:48:49 查看 阅读:9

IRF7207 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换应用。其封装形式为 SO-8,适合表面贴装技术(SMT),并能有效降低系统功耗,提高效率。
  IRF7207 的设计使其能够广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域中的 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:43A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  总栅极电荷:39nC
  输入电容:1320pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRF7207 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速的开关速度,可支持高频操作,适应现代电源设计需求。
  3. 高电流处理能力,能够在大负载条件下稳定运行。
  4. 小巧的 SO-8 封装节省了 PCB 空间,便于实现紧凑型设计。
  5. 优异的热性能,确保在高温环境下的可靠性和长寿命。
  6. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。

应用

IRF7207 可广泛用于以下应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
  3. 电池供电设备中的负载开关。
  4. 电机驱动电路中的功率级元件。
  5. 各种消费类电子产品的电源管理模块。
  6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。

替代型号

IRF7207TRPBF, IRF7207DPBF

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IRF7207参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 5.4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds780pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF7207