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IRF7106TRPBF 发布时间 时间:2025/6/17 6:54:06 查看 阅读:22

IRF7106TRPBF 是一款来自 Vishay 的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型 TSOP-6 封装,适用于需要高效开关性能和低导通电阻的应用。它广泛应用于便携式设备、负载开关、DC-DC 转换器以及电池供电系统中。

参数

型号:IRF7106TRPBF
  封装:TSOP-6
  VDS(漏源电压):30V
  RDS(on)(导通电阻):55mΩ
  IDS(连续漏极电流):4.8A
  VGS(栅源电压):±20V
  功耗:1.2W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

IRF7106TRPBF 具有低导通电阻(RDS(on)),这使其在开关应用中能够减少功率损耗并提高效率。
  该器件的栅极电荷较低,有助于实现快速开关,从而减少开关损耗。
  其小型 TSOP-6 封装非常适合空间受限的设计。
  此外,该 MOSFET 具有较高的雪崩耐量能力,能够在过载条件下提供额外的保护。
  工作温度范围宽广,适应各种严苛环境下的应用需求。

应用

IRF7106TRPBF 广泛用于以下领域:
  1. 便携式电子设备中的负载开关。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流。
  3. 电池管理系统的保护开关。
  4. 手机和平板电脑等消费类电子产品中的电源管理。
  5. LED 驱动器中的开关元件。
  6. 各种低压、大电流电路中的开关或调节功能。

替代型号

IRF7116TRPBF, Si2302DS, BSC018N06NS3

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