时间：2025/5/31 2:35:11
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IRF7103TR 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它专为需要高效能和可靠性的应用而设计，广泛应用于消费电子、通信设备以及工业领域。
该 MOSFET 的封装形式为 SO-8（D2PAK），能够承受较高的电压和电流负载，同时具备极低的 Qg 和 Crss 参数，使其非常适合高频开关应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：59nC
输入电容（Ciss）：2040pF
输出电容（Coss）：180pF
反向传输电容（Crss）：155pF
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
IRF7103TR 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，支持大功率应用。
3. 快速开关性能，适合高频操作环境。
4. 出色的热稳定性，可确保在极端温度条件下的可靠性。
5. 小型化封装设计节省空间，便于 PCB 布局。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保无铅材料。
IRF7103TR 适用于多种功率转换和控制场景，例如：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 太阳能逆变器和储能系统。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 充电器和适配器等便携式电子产品的电源解决方案。
IRF7104TR, IRF7105TR, IRF7106TR
