IRF7101TR 时间：2025/4/29 11:31:06 阅读：19

IRF7101TR 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于高效率、高频开关电源以及电机驱动等场景。该器件采用了先进的 TrenchFET 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统性能。
　　这款 MOSFET 的封装形式为 TSOP-6，非常适合于空间受限的应用场合。其出色的电气特性和可靠性使其成为许多功率转换应用的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：28A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　栅极电荷：49nC（典型值）
　　输入电容：1220pF（典型值）
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　热阻（结到外壳）：1.4°C/W

特性

IRF7101TR 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少导通损耗。
　　2. 高开关速度，适合高频应用，可降低开关损耗。
　　3. 采用 Vishay 的 TrenchFET Gen III 技术，提供卓越的功率密度和效率。
　　4. 小巧的 TSOP-6 封装，节省 PCB 空间。
　　5. 良好的热性能，确保在高温环境下的稳定运行。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。

应用

IRF7101TR 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
　　2. 电机驱动和控制，如无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机。
　　3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　4. 通信设备中的负载切换和保护电路。
　　5. 汽车电子中的各种功率转换和驱动应用。
　　6. LED 驱动器和背光解决方案。