时间：2025/6/26 19:18:25
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IRF6726MTRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和高开关速度，适用于各种高效功率转换应用。IRF6726MTRPBF 采用 TO-252 (DPAK) 封装，适合表面贴装技术 (SMT)，并提供卓越的热性能。
这款 MOSFET 的设计使其非常适合于需要高效率和高可靠性的电路中，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：18A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：39nC
总电容：220pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-252 (DPAK)
功耗：11W
IRF6726MTRPBF 提供了多种优越的性能特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保在高电流应用中有更低的功率损耗。
2. 高速开关能力使其能够适应高频操作需求。
3. 较高的漏源击穿电压 (BVDSS) 可以在宽电压范围内提供稳定的操作。
4. 支持大电流漏极电流 (Id)，确保其能够在高负载条件下运行。
5. 优化的热性能提高了整体效率和可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
7. 表面贴装封装形式简化了生产流程并提升了组装效率。
IRF6726MTRPBF 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 消费类电子产品的电源管理单元。
由于其出色的电气特性和热性能，IRF6726MTRPBF 成为许多功率转换和控制应用的理想选择。
IRF6726TRPBF, IRF6726DPBF
