IRF6620TR 时间：2025/10/27 10:49:27 阅读：18

IRF6620TR是一款由Infineon Technologies生产的高性能N沟道功率MOSFET，广泛应用于高效率电源转换和开关系统中。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优良的开关特性，能够在高频率下实现高效能运行。其封装形式为TO-252（D2PAK），适合表面贴装，便于在紧凑型电路设计中使用。IRF6620TR特别适用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动以及各类开关电源拓扑结构中。该MOSFET具备良好的热稳定性与可靠性，在工业、通信和消费类电子设备中均有广泛应用。器件符合RoHS环保要求，并具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态负载或异常工况下的鲁棒性。此外，其栅极电荷低，有助于减少驱动损耗，提升整体系统效率。由于其优异的电气性能和坚固的封装设计，IRF6620TR成为许多高密度电源设计中的理想选择之一。

参数

型号：IRF6620TR
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大连续漏极电流（ID）：104A（在TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：416A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on)：max 9.7mΩ @ VGS=10V, ID=52A
　　导通电阻RDS(on)：max 12.8mΩ @ VGS=4.5V, ID=52A
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约4300pF @ VDS=30V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：约940pF
　　反向恢复时间（trr）：约37ns
　　功耗（PD）：200W（TC=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-252 (D2PAK)

特性

IRF6620TR采用Infineon先进的沟槽式场效应晶体管技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。其超低的RDS(on)值在同类产品中处于领先水平，尤其在大电流应用中表现突出，可有效降低温升，延长系统寿命。该器件具备出色的开关性能，包括较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这使得其在高频开关应用中能够显著减少驱动功耗和开关损耗，非常适合用于高频率DC-DC变换器和同步整流电路。此外，其封装采用D2PAK形式，具备良好的散热能力，通过PCB即可实现有效热管理，无需额外复杂的散热装置。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和耐用性，能够在电压瞬变或电感负载突变等恶劣条件下保持稳定运行，提升了系统的可靠性。其栅极结构设计优化，具备良好的抗噪声干扰能力，避免因误触发导致的短路风险。同时，器件的阈值电压范围适中，兼容多种常见的PWM控制芯片输出逻辑电平，便于系统集成。在高温环境下，IRF6620TR仍能保持稳定的电气性能，适用于工业级和汽车级应用场景。其无铅封装符合现代环保标准，支持自动化贴片生产，适用于大规模制造流程。总体而言，IRF6620TR凭借其卓越的电学性能、可靠的封装设计和广泛的适用性，成为高性能功率开关应用中的优选器件。

应用

IRF6620TR广泛应用于需要高效率和高电流处理能力的电力电子系统中。常见于服务器电源、通信电源、工业用开关电源（SMPS）以及DC-DC降压/升压转换器中，作为主开关或同步整流元件。在电动工具、无人机电源系统和电池管理系统中，该器件因其低导通损耗和高开关速度而被用于电机驱动电路和电池充放电控制模块。此外，在太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中，IRF6620TR可用于直流侧的功率切换，提供快速响应和低能耗运行。其高电流承载能力和良好的热稳定性也使其适用于车载电源系统和辅助电源模块。在大功率LED驱动电源中，该MOSFET可用于恒流调节和开关控制，确保照明系统的稳定性和长寿命。由于其具备良好的EMI性能和低噪声特性，IRF6620TR还可用于对电磁兼容性要求较高的医疗设备和精密仪器电源部分。总之，凡涉及中高功率、高频率开关操作的应用场景，IRF6620TR均能发挥其性能优势，提升系统效率与可靠性。