时间：2023/3/9 16:49:13
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类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET?
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.2 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：65nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：5640pF @ 15V
功率 - 最大：2.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DirectFET? 等容 MT
包装：剪切带 (CT)
供应商设备封装：DIRECTFET? MT
其它名称：IRF6618TRPBFCT
| 厂商 |
|---|
| Infineon Technologies |
