类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：200 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：28 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：140 A
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10V：0.18 Ω
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5V：0.23 Ω
　　栅极电荷（Qg）典型值：73 nC @ VDS = 100V, ID = 14A
　　输入电容（Ciss）典型值：1300 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：12 ns
　　上升时间（tr）：76 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：60 ns
　　下降时间（tf）：34 ns
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-220
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是

IRF640NSTRPBF具备多项关键电气与物理特性，使其成为众多功率开关应用中的理想选择。首先，其200V的漏源击穿电压使其适用于多种中压直流系统，例如太阳能逆变器、UPS不间断电源以及工业马达控制系统。在导通状态下，该MOSFET在VGS=10V时可实现最大0.18Ω的低RDS(on)，有效降低了导通期间的能量损耗，提高了整体系统的能效。这一低导通电阻还意味着更少的发热，从而提升了系统的可靠性和寿命。对于电池供电或便携式设备而言，这种高效的能量利用尤为关键。
　　其次，该器件具有出色的动态性能表现。其栅极电荷（Qg）仅为73nC左右，在高频开关条件下可以减少驱动电路所需的能量，同时加快开关速度，降低开关过程中的交越损耗。这对于PWM调光、开关模式电源（SMPS）以及DC-AC逆变器等要求快速响应的应用至关重要。此外，输入电容（Ciss）为1300pF，有助于简化驱动电路的设计，避免过大的驱动电流需求。
　　再者，IRF640NSTRPBF采用了坚固的TO-220封装，具有良好的热传导能力和机械强度。该封装支持安装散热片，便于将芯片产生的热量迅速传递到外部环境，防止因温升过高而导致性能下降或损坏。其热阻RθJC（结到壳）约为0.9°C/W，结合合适的PCB布局和散热设计，可在高负载条件下维持稳定的运行温度。
　　最后，该器件内置一个快速恢复体二极管，能够在感性负载断开时提供反向电流通路，防止电压尖峰对MOSFET造成损害。该二极管具有一定的反向恢复能力，但在极端高频或大电流场合仍建议外接肖特基二极管以进一步优化性能。总体来看，IRF640NSTRPBF通过平衡导通损耗、开关速度、热性能和成本，为工程师提供了一个高性能且易于使用的功率开关解决方案。

IRF640NSTRPBF被广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、UPS电源系统、LED照明驱动以及各类工业自动化设备。在开关电源中，它常作为主开关管使用，负责将输入直流电压斩波为高频交流信号，以便通过变压器进行电压变换。由于其高耐压和低导通电阻特性，非常适合用于200V以下的离线式电源设计。
　　在电机控制方面，该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑结构中，实现对直流电机或步进电机的正反转及调速控制。其高脉冲电流能力（可达140A）允许短时承受启动或堵转电流冲击，增强了系统的鲁棒性。此外，在太阳能微逆变器或小型并网逆变器中，IRF640NSTRPBF可用于构建全桥或推挽式逆变电路，将光伏板输出的直流电转换为交流电供本地负载使用或回馈电网。
　　在LED驱动电源中，特别是在恒流驱动拓扑中，该器件可用作初级侧开关元件，配合电流检测和反馈控制实现精准的电流调节。其快速开关能力有助于提升调光精度和响应速度，适用于高端商业照明或户外照明系统。
　　此外，由于其良好的抗雪崩能力和稳健的封装设计，该MOSFET也被用于汽车电子辅助系统（非车载动力系统）、充电设备、电焊机电源模块以及各种消费类电器中的功率控制单元。无论是连续运行还是间歇工作模式，IRF640NSTRPBF均表现出良好的稳定性和耐用性，因此深受电源设计工程师青睐。

STP200N20F7AG
　　SPW20N20S5