您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF640NSPBF

IRF640NSPBF 发布时间 时间:2025/6/4 18:02:38 查看 阅读:5

IRF640NSPBF是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),由Vishay公司生产。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等需要高效功率控制的场景中。
  这款MOSFET的主要特点是其低导通电阻和高击穿电压,能够在高频条件下提供高效的功率切换性能。由于其优异的电气特性和可靠性,IRF640NSPBF成为许多工业和消费类应用中的热门选择。

参数

最大漏源电压:500V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:9A
  脉冲漏极电流:38A
  导通电阻:0.3Ω(在Vgs=10V时)
  总功耗:125W
  结温范围:-55℃至+150℃
  热阻(结到壳):1.4°C/W

特性

IRF640NSPBF具有以下关键特性:
  1. 高击穿电压:500V,使其能够适用于高压环境下的电路设计。
  2. 低导通电阻:在Vgs=10V时,Rds(on)为0.3Ω,减少了导通损耗,提升了效率。
  3. 快速开关速度:得益于优化的内部结构,能够实现快速的开关动作,适合高频应用。
  4. 稳定的温度性能:能够在-55℃至+150℃的结温范围内可靠工作,适应极端环境条件。
  5. 可靠性高:通过了多种工业级测试,确保长期使用中的稳定性和耐用性。
  6. 封装形式:采用标准TO-220封装,便于散热和安装,兼容性强。

应用

IRF640NSPBF的应用领域包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS):用于功率转换和控制,提供高效稳定的输出。
  2. DC-DC转换器:在直流电压转换中作为功率开关元件。
  3. 电机驱动:控制电机的启动、停止及速度调节。
  4. 逆变器:将直流电转换为交流电,应用于光伏系统或其他电力设备。
  5. 电池保护电路:防止过充或过放,保护电池组安全。
  6. 工业自动化:用于各种工业控制系统中的功率控制模块。
  7. 消费类电子产品:如家电、LED驱动等需要功率控制的场景。

替代型号

IRF640G, IRF640NTRPBF, STP17NF50

IRF640NSPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF640NSPBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRF640NSPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1160pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF640NSPBF