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IRF634SPBF 发布时间 时间:2025/5/20 9:23:08 查看 阅读:4

IRF634SPBF是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252表面贴装封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机控制等应用领域。其工作电压为100V,最大连续漏极电流可达6.8A(在特定的结温条件下),能够满足多种功率电子设计需求。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:6.8A
  导通电阻:0.17Ω
  总功耗:2.0W
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  栅极电荷:3.9nC
  输入电容:540pF
  反向恢复时间:35ns

特性

IRF634SPBF具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够减少功率损耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 小尺寸TO-252封装,节省PCB空间。
  4. 良好的热稳定性,在较宽的工作温度范围内表现稳定。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 内置保护二极管,有效防止反向电流对电路的损害。
  这些特性使得IRF634SPBF成为各种功率管理应用的理想选择。

应用

IRF634SPBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换部分。
  2. DC-DC转换器,包括降压和升压拓扑。
  3. 电池充电器及管理系统。
  4. 电机驱动和控制电路。
  5. 照明系统,如LED驱动器。
  6. 工业自动化设备中的负载切换功能。
  由于其出色的性能和可靠性,IRF634SPBF在众多功率电子应用中表现出色。

替代型号

IRF630, IRF637

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IRF634SPBF参数

  • 数据列表IRF634SPBF
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C450 毫欧 @ 5.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds770pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF634SPBF