时间：2025/7/16 12:44:58
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IRF630N 是一款增强型 N 沟道功率 MOSFET，由 Vishay International Rectifier 公司生产。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、逆变器和电机驱动等领域。
IRF630N 的主要特点是其高击穿电压（BVdss）为 200V，低导通电阻（Rds(on)），以及较高的电流处理能力。它具有快速开关速度和较低的栅极电荷（Qg），这使其非常适合高频应用。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：9.2A
导通电阻：0.18Ω
栅极阈值电压：4V
总功耗：75W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
IRF630N 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，其主要特性包括：
1. 高耐压能力，最大漏源电压达到 200V，适用于高压电路环境。
2. 低导通电阻（典型值为 0.18Ω），从而降低传导损耗，提高效率。
3. 较低的栅极电荷（Qg），使得器件在高频开关应用中表现出色。
4. 支持高电流输出，额定连续漏极电流为 9.2A，能够满足大功率负载需求。
5. 工作温度范围宽广（-55℃ 至 +175℃），适应恶劣的工作环境。
6. TO-220 封装形式，便于散热设计和安装，适合工业和消费类电子应用。
IRF630N 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器的高频开关组件。
3. 电机驱动控制电路中的功率输出级。
4. 逆变器电路中的功率开关。
5. 各种工业控制和消费类电子产品中的功率管理模块。
由于其高电压、高电流和低导通电阻的特性，IRF630N 成为许多高效率功率转换应用的理想选择。
IRF630, STP10NK50Z, FQP17N20C
