IRF630MFP 是一款 N 沣道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-252 封装,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等电路中。IRF630MFP 具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合高频应用场合。
这款 MOSFET 的最大特点是其高电压承受能力,能够稳定工作在较高电压环境下,同时具备良好的热性能和可靠性。
型号:IRF630MFP
类型:N 沝道 MOSFET
VDS(漏源极间耐压):200V
RDS(on)(导通电阻,典型值):190mΩ
ID(连续漏极电流):9.2A
PD(功耗):45W
栅极电荷:28nC
封装形式:TO-252
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
IRF630MFP 的主要特性包括:
1. 高 VDS 耐压能力(200V),使其适用于高压电路环境。
2. 较低的导通电阻(RDS(on) 为 190mΩ),可以减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关特性,支持高频应用。
4. 可靠性高,具有良好的热性能和抗浪涌能力。
5. 小型化封装(TO-252),方便 PCB 布局设计。
6. 宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适应各种恶劣环境。
IRF630MFP 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 逆变器及不间断电源系统(UPS)。
6. 各种需要高电压、大电流处理能力的电子设备。
IRF630N, IRF630BPBF