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IRF630MFP 发布时间 时间:2025/7/4 0:08:22 查看 阅读:9

IRF630MFP 是一款 N 沣道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-252 封装,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等电路中。IRF630MFP 具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合高频应用场合。
  这款 MOSFET 的最大特点是其高电压承受能力,能够稳定工作在较高电压环境下,同时具备良好的热性能和可靠性。

参数

型号:IRF630MFP
  类型:N 沝道 MOSFET
  VDS(漏源极间耐压):200V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):190mΩ
  ID(连续漏极电流):9.2A
  PD(功耗):45W
  栅极电荷:28nC
  封装形式:TO-252
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRF630MFP 的主要特性包括:
  1. 高 VDS 耐压能力(200V),使其适用于高压电路环境。
  2. 较低的导通电阻(RDS(on) 为 190mΩ),可以减少功率损耗并提高效率。
  3. 快速开关特性,支持高频应用。
  4. 可靠性高,具有良好的热性能和抗浪涌能力。
  5. 小型化封装(TO-252),方便 PCB 布局设计。
  6. 宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适应各种恶劣环境。

应用

IRF630MFP 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 逆变器及不间断电源系统(UPS)。
  6. 各种需要高电压、大电流处理能力的电子设备。

替代型号

IRF630N, IRF630BPBF

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