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IRF630 发布时间 时间:2024/7/24 15:40:41 查看 阅读:426

IRF630是一款N沟道MOSFET晶体管,由国际整流器公司(International Rectifier)设计和生产。该器件具有低导通电阻、高开关速度、低门极驱动电压和高耐压能力等特点,被广泛应用于各种高功率开关电路中。
  IRF630的操作理论是基于MOSFET的工作原理,通过施加栅极电压来控制MOSFET的导通和截止状态,实现电路的通断和控制。
  IRF630由源极、漏极和栅极三个端子组成,其中栅极与漏极之间存在一个绝缘层。

参数

1、最大漏极电压:200V
  2、最大漏极电流:9.5A
  3、最大功率:117W
  4、静态漏极电阻:0.36Ω
  5、门极驱动电压:±20V
  6、工作温度范围:-55℃~175℃

特点

1、低导通电阻:IRF630的导通电阻只有0.36Ω,可以承受高电流负载,降低功率损耗和温度升高。
  2、高开关速度:IRF630的开关速度非常快,可以确保在高频率下稳定工作。
  3、低门极驱动电压:IRF630的门极驱动电压只有±20V,可以通过简单的逻辑电路或微控制器来驱动。
  4、高耐压能力:IRF630可以承受高达200V的漏极电压,可以应用于高压电路中。
  5、可靠性高:IRF630采用独特的制造工艺和材料,具有高可靠性和长寿命。

工作原理

IRF630是一款N沟道MOSFET晶体管。当门极电压高于阈值电压时,MOSFET会形成一个导通通道,电流从漏极流向源极。当门极电压低于阈值电压时,MOSFET会失去导通通道,电流将停止流动。IRF630的导通和截止可以通过在门极上施加控制电压来实现。

应用

IRF630被广泛应用于各种高功率开关电路中,如:
  1、电源开关
  2、PWM控制器
  3、直流-直流转换器
  4、电机驱动器
  5、照明控制器
  6、电子变压器
  7、太阳能逆变器
  8、电子球asts

如何使用

使用IRF630时需要注意以下几点:
  1、选择合适的散热器:IRF630的功耗较高,需要使用散热器来散热。散热器的选择要根据电路设计和环境温度来确定。
  2、控制电路的设计:IRF630的门极驱动电压只有±20V,所以控制电路需要匹配,以确保MOSFET的正常工作。
  3、电路保护:在使用IRF630时,需要加入适当的保护电路,如过流保护、过压保护和过热保护等,以保护电路和器件的安全。

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IRF630参数

  • 其它有关文件IRF630 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MESH OVERLAY™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds700pF @ 25V
  • 功率 - 最大75W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 工具箱497-8004-KIT-ND - KIT MOSFET THRU HOLE 9VAL 5EA
  • 其它名称497-2757-5