IRF6216TR 时间：2025/4/30 19:27:03 阅读：2

IRF6216TR 是一款由 Vishay 提供的 N 沣道 enhancement mode MOSFET（场效应晶体管）。该器件采用小型化的 SO-8 封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合于多种功率转换应用。其设计旨在提高效率和降低功耗，因此在 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等场景中广泛应用。
　　IRF6216TR 的核心特点是低导通电阻 (Rds(on)) 和高雪崩击穿能力，这使其非常适合需要高效能和高可靠性的电路设计。

参数

最大漏源电压：55V
　　连续漏极电流：39A
　　导通电阻 (Rds(on))：4.0mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷：17nC
　　总电容：1170pF
　　开关时间：ton=12ns, toff=9ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：SO-8

特性

IRF6216TR 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可显著减少传导损耗，提高系统效率。
　　2. 高额定电流能力，支持高达 39A 的连续漏极电流，适用于高功率应用场景。
　　3. 快速开关性能，能够有效减少开关损耗，提升动态响应速度。
　　4. 支持宽温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适应各种恶劣环境条件。
　　5. 内置雪崩击穿保护功能，增强了器件的可靠性与稳定性。
　　6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。

应用

IRF6216TR 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的功率级控制。
　　2. DC-DC 转换器中的同步整流。
　　3. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
　　4. 计算机及服务器电源模块。
　　5. 工业自动化设备中的负载切换。
　　6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。