IRF6215SPBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌)生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率电源管理和高频开关应用而设计,具备低导通电阻、快速开关速度和优良的热稳定性等优点。IRF6215SPBF 常用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等领域。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds:60V
栅源电压 Vgs:±20V
连续漏极电流 Id @25°C:48A
最大导通电阻 Rds(on):9.2mΩ @Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:PowerPAK SO-8 双片封装
IRF6215SPBF 的主要优势在于其卓越的电气性能与热管理能力。它采用了先进的沟槽式技术,实现了非常低的导通电阻(Rds(on)),从而显著降低了导通损耗。此外,该器件的开关速度快,能够有效减少开关过程中的能量损耗,提高整体系统效率。
该 MOSFET 使用了 PowerPAK SO-8 封装技术,具有良好的散热性能和较高的功率密度,适合在空间受限的设计中使用。其双片封装结构有助于降低寄生电感,进一步提升高频开关性能。
IRF6215SPBF 还具备出色的耐用性和可靠性,在高温环境下仍能保持稳定运行。内置的静电放电(ESD)保护功能也增强了其抗干扰能力,适用于各种工业和汽车电子应用。
IRF6215SPBF 主要应用于各类高效率电源管理系统中,如同步整流电路、DC-DC 升压/降压转换器、电池管理系统(BMS)、负载开关控制以及电机驱动电路等。由于其优异的开关特性和高耐压能力,该器件也非常适合用于服务器电源、电信设备、笔记本电脑适配器及 LED 照明驱动等对效率要求较高的电子产品中。
SiZ600DG-T1-GE3, NexFET CSD17551Q5A, FDMS7680