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IRF6215SPBF 发布时间 时间:2025/7/14 16:01:34 查看 阅读:9

IRF6215SPBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌)生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率电源管理和高频开关应用而设计,具备低导通电阻、快速开关速度和优良的热稳定性等优点。IRF6215SPBF 常用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等领域。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压 Vds:60V
  栅源电压 Vgs:±20V
  连续漏极电流 Id @25°C:48A
  最大导通电阻 Rds(on):9.2mΩ @Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:PowerPAK SO-8 双片封装

特性

IRF6215SPBF 的主要优势在于其卓越的电气性能与热管理能力。它采用了先进的沟槽式技术,实现了非常低的导通电阻(Rds(on)),从而显著降低了导通损耗。此外,该器件的开关速度快,能够有效减少开关过程中的能量损耗,提高整体系统效率。
  该 MOSFET 使用了 PowerPAK SO-8 封装技术,具有良好的散热性能和较高的功率密度,适合在空间受限的设计中使用。其双片封装结构有助于降低寄生电感,进一步提升高频开关性能。
  IRF6215SPBF 还具备出色的耐用性和可靠性,在高温环境下仍能保持稳定运行。内置的静电放电(ESD)保护功能也增强了其抗干扰能力,适用于各种工业和汽车电子应用。

应用

IRF6215SPBF 主要应用于各类高效率电源管理系统中,如同步整流电路、DC-DC 升压/降压转换器、电池管理系统(BMS)、负载开关控制以及电机驱动电路等。由于其优异的开关特性和高耐压能力,该器件也非常适合用于服务器电源、电信设备、笔记本电脑适配器及 LED 照明驱动等对效率要求较高的电子产品中。

替代型号

SiZ600DG-T1-GE3, NexFET CSD17551Q5A, FDMS7680

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IRF6215SPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C290 毫欧 @ 6.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs66nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds860pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF6215SPBF