时间：2025/12/29 14:36:00
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IRF620B是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种功率电子设备中。该MOSFET采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和高效的开关性能，适用于需要高可靠性和高性能的应用场景。
最大漏极电流：9.0A
最大漏源电压：200V
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：36nC @ 10V
工作温度范围：-55°C至+175°C
IRF620B的特性包括高效的沟槽技术，能够提供更低的导通电阻和更高的电流处理能力，从而减少功率损耗并提高整体效率。此外，该器件具备较高的耐用性和热稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持性能稳定。其封装设计支持快速散热，适合高频开关应用。IRF620B还具有较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗并提高开关速度，适用于高频操作场景。
该MOSFET的另一个显著特性是其优化的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏。这种特性使得IRF620B在电机驱动、电源转换和工业控制等应用中表现优异。此外，器件的设计符合RoHS环保标准，确保了在现代电子设备中的广泛应用。
IRF620B主要用于电源管理系统、DC-DC转换器、逆变器、电机控制和电池管理系统等领域。其高效的功率处理能力和良好的热管理性能使其在工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中得到了广泛应用。特别是在需要高效率和高可靠性的应用中，如电动汽车的充电系统、工业伺服驱动器和不间断电源（UPS）系统，IRF620B展现出了卓越的性能。
IRF630B, IRF640B
