IRF610PBF-BE3 是一款由国际整流器公司(International Rectifier,已被英飞凌收购)生产的功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 P-channel 结构,适用于需要高效开关和低导通电阻的电路设计。它广泛应用于电源管理、电机控制、负载切换以及其他工业电子领域。
这款 MOSFET 具有较高的电流承载能力以及出色的热性能,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气特性。其封装形式为 TO-263(DPAK),有助于提高散热效率。
类型:P-channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):100 V
最大栅源电压(Vgs):±20 V
最大连续漏极电流(Id):14 A
最大脉冲漏极电流(Idp):48 A
导通电阻(Rds(on)):0.75 Ω(在 Vgs = -10 V 时)
栅极电荷(Qg):9 nC
总功耗(Ptot):54 W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
IRF610PBF-BE3 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高耐压能力,支持高达 100V 的漏源电压,适用于多种高压应用。
3. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷(Qg),能够显著减少开关损耗。
4. 采用 TO-263 封装,提供良好的热性能和电气连接可靠性。
5. 宽广的工作温度范围,使其适合各种恶劣环境下的应用。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
IRF610PBF-BE3 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器和负载开关。
2. 工业自动化设备中的电机驱动和控制。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 各种消费类电子产品中的 DC/DC 转换和电源管理模块。
6. 照明系统的调光和控制电路。
由于其出色的电气特性和可靠性,该器件在需要高性能功率转换的应用中表现尤为突出。
IRF610PBF, IRF610TRPBF