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IRF610PBF-BE3 发布时间 时间:2025/7/4 4:15:24 查看 阅读:17

IRF610PBF-BE3 是一款由国际整流器公司(International Rectifier,已被英飞凌收购)生产的功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 P-channel 结构,适用于需要高效开关和低导通电阻的电路设计。它广泛应用于电源管理、电机控制、负载切换以及其他工业电子领域。
  这款 MOSFET 具有较高的电流承载能力以及出色的热性能,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气特性。其封装形式为 TO-263(DPAK),有助于提高散热效率。

参数

类型:P-channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100 V
  最大栅源电压(Vgs):±20 V
  最大连续漏极电流(Id):14 A
  最大脉冲漏极电流(Idp):48 A
  导通电阻(Rds(on)):0.75 Ω(在 Vgs = -10 V 时)
  栅极电荷(Qg):9 nC
  总功耗(Ptot):54 W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

IRF610PBF-BE3 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 高耐压能力,支持高达 100V 的漏源电压,适用于多种高压应用。
  3. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷(Qg),能够显著减少开关损耗。
  4. 采用 TO-263 封装,提供良好的热性能和电气连接可靠性。
  5. 宽广的工作温度范围,使其适合各种恶劣环境下的应用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

IRF610PBF-BE3 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器和负载开关。
  2. 工业自动化设备中的电机驱动和控制。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  5. 各种消费类电子产品中的 DC/DC 转换和电源管理模块。
  6. 照明系统的调光和控制电路。
  由于其出色的电气特性和可靠性,该器件在需要高性能功率转换的应用中表现尤为突出。

替代型号

IRF610PBF, IRF610TRPBF

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IRF610PBF-BE3参数

  • 现有数量7,511现货
  • 价格1 : ¥7.39000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.3A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.5 欧姆 @ 2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)140 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)36W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220AB
  • 封装/外壳TO-220-3